metalgatepolygate

由FOhtake著作·1999·被引用1次—Alow-contactresistancepoly-metalgatesystemconsistingofTiN/thinTiSi2/poly-Siisdescribed.Apoly-metalgateisoneofthecandidatesforthenext ...,由RCerutti著作·2005·被引用1次—Inthispaper,theauthorspresentedanintegrationstrategyformetalgateGAAtransistorsmadebySONprocessusingpoly-gatereplacementthroughcontact ...,Polysilicondepletioneffectisthephenomenoninwhichunwantedvariat...

參考資訊如下
Low-Contact Resistance Poly

由 F Ohtake 著作 · 1999 · 被引用 1 次 — A low-contact resistance poly-metal gate system consisting of TiN/thin TiSi2/poly-Si is described. A poly-metal gate is one of the candidates for the next ...

Metal gate-all

由 R Cerutti 著作 · 2005 · 被引用 1 次 — In this paper, the authors presented an integration strategy for metal gate GAA transistors made by SON process using poly-gate replacement through contact ...

Polysilicon depletion effect

Polysilicon depletion effect is the phenomenon in which unwanted variation of threshold voltage of the MOSFET devices using polysilicon as gate material is ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — Why PolySi to HKMG. High-K Metal Gate; 隨元件/製程微縮，接近導體的PolySilicon (N+/P+ Poly-Si)問題越明顯。因為本質是半導體，在小尺寸下，閘極 ...

以矽化鎳作為閘極金屬層用在奈米級CMOS元件之特性探討

由 陳人豪 著作 · 2008 — Metal gate might be the only way to solve these problems. ... In this work, we use NiSi gate to replace poly-Silicon gate ... We use Ni-FUSI gate as metal gate.

栅极材料的革命(Gate Electrode) （转）

2019年6月15日 — ... Gate Material，也就是我们现在用的Poly Gate。（2um以前的时代都是Metal Gate，1.5um以下的时代都是Poly Gate了)。 image.png. 而Poly Gate本身也是 ...

栅极材料的革命(Gate Electrode) （转） - 芯知社区

2021年6月15日 — 上个世纪70年代，MOSFET (MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单，我十年前有幸做过2.25um的Metal Gate，工艺流程就是N/P WELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT ...

高介電係數閘極介層技術

6303418 2001/10/16 Chartered Gate Structure/Process. Dual gate structure(metal-N, metal+poly-P). 6300203. 2001/10/9. AMD. Deposition Method. Electrolytic ...

高介電常數金屬閘極（High

2019年8月5日 — 高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate ... Poly-Si Gate）和金屬矽化物閘極（Metal Salicide Gate），演變成高介電常數的金屬閘極（High-K Metal Gate）。